[3月21日]科学历史上的今天—

1936年3月21日，施敏（Simon Sze）出生于中国南京。他合作发明了非易失性存储（Non-Volatile Memory）。

施敏在台湾长大，父亲施家福是矿冶专家。1957年，施敏毕业于国立台湾大学电机工程学系，之后到美国留学。他于1960年获取华盛顿大学硕士学位，并于1963年获取斯坦福大学电机博士学位。

毕业后，施敏进入贝尔实验室工作，在此工作直到1989年退休。

MOSFET发明后，并未获得贝尔实验室重视。几年后，也就是1967年，施敏于与姜大元共同发现浮栅存储（FGM）效应，即基于MOS半导体器件的浮栅可用于可重编程ROM的存储单元。

据说，1967年的某一天，施敏看着姜大元的一块蛋糕，凝视蛋糕中间的那一层奶油，突然想到为何不在MOSFET中间加上一层很薄的金属浮闸层，使得晶体管的闸极由上而下分别为金属、氧化层、金属浮闸层、一层较薄的氧化层、最下面的半导体。中间的金属层因为上、下都是绝缘的氧化层，在施加电压时，可以将电子吸进去保存，改变电路的导通性，而这层金属的上、下都是绝缘体，如果不再度施加反向电压的话，电荷会一直保存在里面，断电后资料也不会消失。塔恩于是开始做实验，找出了最适合做浮闸的材料。

施敏和姜大元在《贝尔系统科技期刊》（The Bell System Technical Journal）发表论文（A floating-gate and its application to memory devices）。这是闪存（Flash memory）的核心。随后，贝尔实验室申请了这项专利。

非易失性存储，指的是当电流关掉后，所存储的数据不会消失的存储器。非易失性存储器中，按照存储器内的数据是否能在使用时随时改写，可分为二大类产品，即只读存储器（ROM）和闪存（Flash memory）。