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近日,湘潭大学材料科学与工程学院周益春教授和台湾交通大学材料系朱英豪教授在柔性钙钛矿铁电薄膜材料领域取得突破性进展,开创性地在天然单晶柔性云母片上直接生长出了可大尺度弯曲、无性能退化、低成本的高品质外延铁电薄膜,极大地简化了当前柔性铁电薄膜的技术复杂性。相关研究成果发表于《Science》子刊上《Science Advances》,题为 Flexible ferroelectric element based on van der Waals heteroepitaxy,Sci. Adv. 3, e1700121 (2017)。
该研究采用脉冲激光沉积(PLD)方法,通过对锆钛酸铅(PZT)薄膜生长过程进行原位观测(反射高能电子衍射,RHEED)和实时调控,成功在柔性二维材料(天然云母片)生长出了高质量外延三维铁电材料(PZT)。这是传统钙钛矿铁电材料首次不使用转移的方法直接在柔性基板上生长出高质量外延铁电薄膜,为柔性外延铁电存储器的研制奠定了坚实的基础。令人兴奋的是此柔性PZT铁电薄膜相比于其它柔性有机铁电薄膜,具有其它有机材料无法比拟的优异的铁电性能和热稳定性能。除此之外,此柔性铁电薄膜还表现出非常显著的可弯曲特性,当薄膜的弯曲半径高达±2.5毫米,弯曲疲劳循环>1000次时,PZT薄膜仍保持着原有卓越的铁电性能。此项研究为柔性非挥发铁电存储器的研制提供了一个新的突破,同时加速了柔性电子元件在军事及生活中的应用。
论文共同第一作者为湘潭大学材料学院博士生姜杰和台湾交通大学博士后Yugandhar Bitla。论文英文摘要如下,点击阅读原文可以自由下载PDF。
原文链接:http://advances.sciencemag.org/content/3/6/e1700121
Flexible ferroelectric element based on van der Waals heteroepitaxy
Jie Jiang, Yugandhar Bitla, Chun-Wei Huang, Thi Hien Do, Heng-Jui Liu, Ying-Hui Hsieh, Chun-Hao Ma, Chi-Yuan Jang, Yu-Hong Lai, Po-Wen Chiu, Wen-Wei Wu, Yi-Chun Chen, Yi-Chun Zhou, Ying-Hao Chu
We present a promising technology for nonvolatile flexible electronic devices: A direct fabrication of epitaxial lead zirconium titanate (PZT) on flexible mica substrate via van der Waals epitaxy. These single-crystalline flexible ferroelectric PZT films not only retain their performance, reliability, and thermal stability comparable to those on rigid counterparts in tests of nonvolatile memory elements but also exhibit remarkable mechanical properties with robust operation in bent states (bending radii down to 2.5 mm) and cycling tests (1000 times). This study marks the technological advancement toward realizing much-awaited flexible yet single-crystalline nonvolatile electronic devices for the design and development of flexible, lightweight, and next- generation smart devices with potential applications in electronics, robotics, automotive, health care, industrial, and military systems.
原文链接:http://advances.sciencemag.org/content/3/6/e1700121
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