3月14日，德国芯片制造商英飞凌发布公告，已在美国加州法院向珠海英诺赛科（Innoscience）及其美国子公司、关联公司等提起专利侵权诉讼，该专利涉及氮化镓（GaN）技术，专利权利要求涵盖了GaN功率半导体的核心方面，其中包括可实现英飞凌专有GaN器件可靠性和性能的创新。
英飞凌表示，英诺赛科通过制造、使用、销售、提供销售和进口到美国的各种产品（包括用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子及相关在汽车、工业和商业应用中使用的产品）侵犯了英飞凌的专利技术。英飞凌向法院寻求针对英诺赛科的永久禁令。
英飞凌功率与传感器系统事业部总裁亚当·怀特（Adam White）表示："氮化镓功率晶体管的生产需要全新的半导体设计和工艺。英飞凌拥有近二十年的氮化镓生产经验，能够保证最终产品达到最高性能所需的卓越品质。我们将坚决保护自己的知识产权，从而维护所有客户和最终用户的利益。数十年来，英飞凌致力于氮化镓技术的研发、产品开发和生产专业技术的投资。英飞凌将继续捍卫自身知识产权并保护其投资。”
氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体，具有优越的开关性能，能够实现更小尺寸、更高效率和更低成本的电力系统。市场分析师预计，GaN在功率应用方面的收入将在2028年前以49%的年复合增长率增长，达到约20亿美元（来源：Yole, Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023）。
英飞凌是全球领先的半导体公司，专注于功率系统和物联网领域。2023年10月24日，英飞凌宣布完成对GaN Systems Inc.的收购，成为GaN功率解决方案的领导者。英飞凌在行业中以其GaN专利组合领先，包括大约350个专利家族。
英诺赛科成立于2015年，设计、开发和制造涵盖从低压到高压（30V-650V）面向各种应用的高性能、高可靠性的氮化镓功率器件。目前，英诺赛科拥有两座8英寸硅基氮化镓生产基地，采用最先进的8英寸生产工艺，是全球产能最高的氮化镓器件厂商。据路透社报道，英诺赛科正考虑赴港进行IPO，融资规模约3亿元。
去年5月，美国GaN厂宜普电源转换公司（EPC）也对英诺赛科提起类似诉讼，寻求损害赔偿与销售禁令。彼时，英诺赛科回应称不存在侵权行为：“EPC的这一行为构成非法竞争策略，旨在破坏英诺赛科的竞争优势。”
来源：eenewseurope
编辑：Sharon
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