1932年11月10日,萨支唐(Chih-Tang "Tom" Sah)出生于中国北平。他和弗兰克·万拉斯共同发明CMOS。
萨支唐祖籍福建省福州市,是福州萨氏家族成员,是元代蒙古官员萨都剌后裔,其父萨本栋是第一届中央研究院院士,曾担任厦门大学校长(1937-1945)。萨支唐1953年从伊利诺大学获得双学士学位,于1956年在斯坦福大学获得博士学位。他的博士论文是研究行波管(traveling-wave tubes)。
1956年起,萨支唐跟随威廉·肖克利(William Shockley)从事固态电子学方面的工业研究。1957年,萨支唐和肖克利罗伯特·诺伊斯(Robert Noyce)一起提出了著名的关于pn结的电子空穴复合理论。
1959年至1964年,萨支唐就职于仙童公司。在仙童公司工作期间,萨支唐带领一个64人的物理组,开发大规模制造硅基二极管、MOS晶体管的工艺研究(氧化、扩散、外延生长、金属薄膜沉淀),同时为集成电路制造研究技术,包括杂质扩散中的氧化物掩膜等。
60年代早期,穆罕默德·阿塔拉(Mohamed Atalla)与姜大元(Dawon Kahng)在贝尔实验室提出了金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),萨支唐将MOS技术引入仙童半导体。1963年,他和万拉斯共同开发了CMOS技术,这种技术被用于当今所有的大型集成电路中。
萨支唐开发了MOS三极管的模型,被用于软件SPICE中。
萨支唐还发明了深能级瞬态谱(deep level transient spectroscopy,DLTS)方法用于探测半导体内的缺陷。
1964年,萨支唐离开仙童,来到伊利诺大学厄巴纳-香槟分校。他任物理系和电子及计算机系教授达26年,培养出40名博士。1988年起,他到佛罗里达大学担任教授。
资料来源:
https://en.wikipedia.org/wiki/Chih-Tang_Sah
https://de.wikipedia.org/wiki/Chih-Tang_Sah
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