1932年9月5日，罗伯特·海思·丹纳德（Robert H. Dennard）出生于美国德克萨斯州。他发明的三极管储存单元是如今动态随机存取存储器（DRAM）的基础。
丹纳德于1954年和1956年从南方卫理公会大学分别获得学士和硕士学位，1958年从卡耐基工业学院获得博士学位。之后，他到IBM做研究员。
1966年，丹纳德发明了一种三极管储存单元，它由一个三极管和一个电容组成，并于1968年获得专利。这是如今动态随机存取存储器（dynamic random-access memory, DRAM）的基础。
丹纳德也是率先认识到金属氧化物半导体场效应管（MOSFETs）具备大幅度尺寸压缩可能的人之一。他和同事于1974年计算得出，金属氧化物半导体场效应管作为一个电压控制的开关，在缩减它几何尺寸、电压、掺杂浓度的同时，只要布局密度、运行速度、能效等关键指标得到改进，它就能维持相同的电场，就能正常工作。这一性质是摩尔定律能成立的基础，也是近几十年来微电子革命的基础。
1984年，丹纳德当选为美国国家工程院院士。
资料来源：
https://en.wikipedia.org/wiki/Robert_H._Dennard
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