[3月12日]科学历史上的今天——江崎玲於奈（Leo Esaki）

1925年3月12日，江崎玲於奈（Leo Esaki）出生于日本大阪。他实验发现了半导体材料中的隧穿现象，从而发明了首个量子器件——隧穿二极管，引发对半导体的深入研究。

江崎

于1947年毕业于东京大学物理系，之后加入

东京通信工业株式会社（今天的索尼SONY公司）。

他于1959年获得东京大学的博士学位。

东京通信工业株式会社，1958年改名为SONY

在索尼，江崎主要研究的是量子力学领域。江崎在实验中发现，高掺杂、窄PN结中出现负阻现象。通过理论分析，他认为负阻是由于电子空穴直接穿透了结区，这有力证明了量子力学的“隧穿效应”。“隧穿”就是粒子因为具有波的特性而能够穿过障碍，可以理解为量子世界中的“穿墙而过”。江崎进一步想到，通过掺杂（doping）能够改变半导体的性质，他由此发明了“隧穿二极管”，后来大家也叫它“江崎二极管”，这是世界上第一个量子器件。

隧穿二极管的发明，开辟了一个新的研究领域——固体中的隧穿效应。

因为这些成果，1973年，江崎和伊瓦尔·贾埃弗（Ivar Giaever）、布莱恩·约瑟夫森（Brian Josephson）共享诺贝尔物理学奖。

1960年，江崎加入了IBM的托马斯·沃森研究中心（Thomas J Watson Research Center）。他在那里研究前沿的半导体异质结构（即由两层以上不同半导体的薄膜材料依次沉积的结构），这种结构的材料性能优异（比单一成分要好）。