事关下一代EUV光刻机，ASML宣布

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来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自cnbc，谢谢。

全球最大的半导体设备制造商ASML周一表示，已与比利时芯片研究公司 Imec 联合开设了一个高数值孔径 EUV 光刻设备测试实验室。

该实验室位于荷兰费尔德霍芬，经过多年建设，将为领先的芯片制造商和其他设备和材料供应公司提供早期使用这种价值 3.5 亿欧元（3.8 亿美元）的工具的机会，这也是同类产品中的首个。

ASML 在光刻设备市场占据主导地位，光刻设备是芯片制造过程中的核心步骤，在此过程中使用光束来创建芯片的电路。

在芯片制造商中，只有台积电、三星、英特尔以及内存专家 SK 海力士和三星能够使用 ASML 当前一代极紫外或 EUV 机器进行制造。

新的High NA工具可将分辨率提高60％，有望带来新一代更小、更快的芯片。

ASML 周一重申，预计客户将在 2025 年至 2026 年开始使用该工具进行商业制造。

迄今为止，ASML 仅向美国英特尔出货了另一台测试机器，英特尔计划在 2025 年的 14A 工艺中使用该设备。

ASML 的订单已超过十几台，但其 EUV 设备的最大客户台积电表示，其 A16 芯片不需要使用High NA 工具，预计 2025 年投入生产。

ASML和imec联手

纳米电子和数字技术领域的世界领先研究和创新中心 Imec 和半导体行业领先的光刻供应商 ASML Holding NV (ASML) 今天宣布在荷兰费尔德霍芬开设High NA EUV 光刻实验室，该实验室由 ASML 和 imec 共同运营。经过多年的建设和整合，该实验室已准备好为领先的逻辑和内存芯片制造商以及先进的材料和设备供应商提供第一台原型High NA EUV 扫描仪 (TWINSCAN EXE:5000) 以及周边的加工和计量工具。

ASML-imec 高 NA EUV 联合实验室的成立，是High NA EUV 大批量生产准备工作中的一个里程碑——预计将于 2025-2026 年实现。通过让领先的逻辑和内存芯片制造商使用High NA EUV 原型扫描仪和周边工具（包括涂层和开发轨道、计量工具、晶圆和掩模处理系统），imec 和 ASML 帮助他们降低技术风险，并在扫描仪在其生产工厂投入使用之前开发私有的高 NA EUV 用例。还将向更广泛的材料和设备供应商生态系统以及 imec 的High NA 图案化计划提供访问权限。

0.55 NA EUV 扫描仪和基础设施的准备工作始于 2018 年，在此之前，ASML 和 ZEISS 已经能够开发High NA EUV 扫描仪专用解决方案，涉及光源、光学元件、镜头变形、拼接、降低景深、边缘位置误差和叠加精度。与此同时，imec 与其扩展的供应商网络紧密合作，准备了图案化生态系统，包括开发先进的光刻胶和底层材料、光掩模、计量和检测技术、（变形）成像策略、光学邻近校正 (OPC) 以及集成图案化和蚀刻技术。准备工作最近取得了首次曝光，首次展示了使用 0.55 NA EUV 原型扫描仪在 Veldhoven 的金属氧化物光刻胶 (MOR) 上印刷的 10 纳米密集线条（20 纳米间距）。

Imec 总裁兼首席执行官Luc Van den hove 表示：“High NA EUV 是光学光刻技术的下一个里程碑，有望在一次曝光中对间距为 20 纳米的金属线/空间进行图案化，并为下一代 DRAM 芯片提供支持。与现有的多重图案化 0.33 NA EUV 方案相比，这将提高产量并缩短周期时间，甚至减少二氧化碳排放量。因此，它将成为推动摩尔定律进入埃时代的关键推动因素。现在，我们很高兴使用原型High NA EUV 扫描仪在现实生活中探索这些功能。对于 imec 及其合作伙伴而言，High NA EUV 光刻实验室将充当我们位于鲁汶的 300 毫米洁净室的虚拟延伸，使我们能够进一步改善图案化生态系统，并将High NA EUV 的分辨率推向极限。”

ASML 总裁兼首席执行官Christophe Fouquet表示：“ASML-imec High NA EUV 光刻实验室为我们的 EUV 客户、合作伙伴和供应商提供了一个机会，让他们可以在等待自己的系统在工厂投入使用的同时，使用High NA EUV 系统进行工艺开发。这种与生态系统的早期接触是独一无二的，可以显著加快技术的学习曲线，并让制造过程更加顺利。我们致力于与客户合作，并在High NA EUV 的这一旅程中为他们提供支持。”

Intel抢下了大部分的High NA EUV光刻机

TheElec 获悉，截至明年上半年，英特尔已获得 ASML 生产的大部分高数值孔径极紫外 (EUV) 设备，消息人士称，这家荷兰晶圆厂设备制造商今年将生产五套该套件，这些套件将全部供应给这家美国芯片制造商。

他们表示，由于 ASML 高数值孔径 EUV 设备的产能约为每年 5 至 6 台，这意味着英特尔将获得所有初始库存。

英特尔的竞争对手三星和 SK 海力士预计将在明年下半年的某个时候获得该套件。

他们还表示，这家美国芯片制造商在宣布重新进入芯片代工或合同芯片生产业务时抢先购买了这些设备。

ASML 的高数值孔径 EUV 设备是芯片制造商制造 2 纳米 (nm) 工艺节点芯片的必备设备。每个单位的成本超过5000亿韩元。

NA代表数值孔径，表示光学系统收集和聚焦光线的能力。数值越高，聚光能力越好，高NA EUV设备的NA从0.33提高到0.55。这基本上意味着设备可以绘制更精细的电路图案。

为了赢得客户，英特尔比竞争对手更快地采用高数值孔径 EUV。该公司于 2021 年重新进入代工市场，但去年该业务亏损 70 亿美元。

参考链接

https://www.cnbc.com/2024/06/03/asml-belgiums-imec-open-laboratory-to-test-newest-chip-making-tool.html

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