处理器从内存中读取数据，而内存从闪存中加载数据。DRAM属于易失性存储器，使用电容存储，必须隔一段时间刷新，一旦停止刷新存储的信息就会丢失。而Flash属于非易失性的存储，在断电后不会丢失数据，是在ROM的基础上演进而来。DRAM读写速度比Flash快、成本高、功耗较大、寿命长、结构简单集成度高，Flash的优势在于容量大、成本低。
本文来自“存储激荡六十载：DRAM、Flash、存算一体、HBM和CXL”存储专题系列一：新应用发轫，存力升级大势所趋、存储专题系列二：存力需求与周期共振，SSD迎量价齐升。
存储的下游应用过去以手机、PC和服务器为主，以手机、PC为例的消费电子自去年以来需求持续低迷，至今复苏需求仍不明朗，而人工智能和汽车电子作为新兴应用方兴未艾，激发大量增量需求。在年初现象级AIGC应用ChatGPT出圈后，全球科技巨头争相在AI领域发力，将刺激更多配套的存储器用量。另一方面，随着新能源汽车发展与汽车智能化不断演进，汽车有望成长为新一代的智能终端，或将复制手机、PC的发展路径，依赖于存储空间的提升来支持ADAS、高精度地图、事故记录、娱乐等功能的突破。
我国已初步完成在存储芯片领域的战略布局，但由于起步较晚，且不时受到技术封锁，在DRAM、NAND Flash高端存储产品市场较韩系、美系龙头厂商仍有一定差距。
下载链接：
关于NVMe技术，请参考文章“NVMe SSD性能影响因素一探究竟（上）”，“NVMe SSD性能影响因素一探究竟（下）”，“一文掌握RDMA、NVMe和NVMe-oF”，“收藏：NVMe协议基础原理介绍”，“漫谈NVMe、NoF和RDMA技术”，“NVMe over Fabric网络技术介绍”，“基于RDMA/NVMe低时延存储系统设计”，“NVMe over Fabric存储网络技术分析”，“收藏：NVMe协议基础原理知识”，“NVMe技术基础知识”，“深入剖析NVMe Over Fabrics”，“NVMe over RoCEv2网络技术要求和测试规范”等等。

免责申明：本号聚焦相关技术分享，内容观点不代表本号立场，可追溯内容均注明来源，发布文章若存在版权等问题，请留言联系删除，谢谢。
推荐阅读
更多架构相关技术知识总结请参考“架构师全店铺技术资料打包(全)”相关电子书(41本技术资料打包汇总详情可通过“阅读原文”获取)。
全店内容持续更新，现下单“架构师技术全店资料打包汇总(全)”一起发送“服务器基础知识全解(终极版)”和“存储系统基础知识全解（终极版）”pdf及ppt版本，后续可享全店内容更新“免费”赠阅，价格仅收249元(原总价439元)。
温馨提示：
扫描二维码关注公众号，点击阅读原文链接获取“架构师技术全店资料打包汇总(全)”电子书资料详情。

继续阅读
阅读原文