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《国家科学评论》（National Science Review，NSR）今年第3期出版了“用于集成电路的新兴材料和晶体管”专题（特邀编辑：刘明、彭练矛、张志勇、李泠），共收录9篇高水平论文，包含1篇Review、5篇Perspective、1篇Research Highlight、1篇Interview和1篇Guest Editorial，展示了该领域的发展现状及其未来方向。
https://academic.oup.com/nsr/issue/11/3
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Special Topic: Emerging Materials and Transistors for Integrated Circuits
特邀编辑：
刘明
彭练矛
张志勇
李泠
专题篇目
GUEST EDITORIAL
Emerging materials and transistors for integrated circuits
Ming Liu and Lian-Mao Peng
Natl Sci Rev 2024, 11(3): nwae040
https://doi.org/10.1093/nsr/nwae040
“用于集成电路的新兴材料和晶体管”专题前言
通讯作者
刘明
中国科学院微电子研究所
彭练矛
北京大学
本文是NSR“用于集成电路的新兴材料和晶体管”专题的特邀编者按。本专题包含1篇Review、5篇Perspective、1篇Research Highlight和1篇Interview文章，展示了该领域的发展现状及其未来方向。
RESEARCH HIGHLIGHT
Two-dimensional ballistic transistors for advanced-node integrated circuits
Jia Li and Xidong Duan
Natl Sci Rev 2024, 11(3): nwad315
https://doi.org/10.1093/nsr/nwad315
用于先进节点集成电路二维弹道晶体管
通讯作者
段曦东
湖南大学
本文推介了北京大学彭练矛、邱晨光课题组近期Nature文章“
Ballistic two-dimensional InSe transistors
”。这项工作首次制造了二维弹道InSe晶体管，其整体性能超过了最先进的硅基场效应晶体管，并有力地证明了二维原子晶体应用于后摩尔电子器件中的优越性、可行性和巨大潜力。
PERSPECTIVE
Two-dimensional semiconductor transistors and integrated circuits for advanced technology nodes
Weisheng Li, Haoliang Shen, Hao Qiu, Yi Shi and Xinran Wang
Natl Sci Rev 2024, 11(3): nwae001
https://doi.org/10.1093/nsr/nwae001
面向先进技术节点的二维半导体晶体管与集成电路
通讯作者
王欣然
南京大学、苏州实验室
沈昊亮
苏州实验室
以过渡金属硫族化合物为代表的二维半导体材料具有原子级厚度、高迁移率、免疫短沟道效应和与CMOS工艺后端兼容等优点，被工业界和学术界一致认为是1 nm节点及以下集成电路中的核心材料。本文总结了近几年高性能二维半导体晶体管和集成电路的最新进展，明确了二维半导体器件与集成亟待解决的关键科学与技术问题，展望了二维半导体从实验室走向工艺线的未来发展方向。
Road map for, and technical challenges of, carbon-nanotube integrated circuit technology
Jia Si, Panpan Zhang and Zhiyong Zhang
Natl Sci Rev 2024, 11(3): nwad261
https://doi.org/10.1093/nsr/nwad261
碳基集成电路发展路线图以及其技术挑战
通讯作者
司佳
北京大学
张志勇
北京大学
碳纳米管（Carbon nanotube）是准一维材料，具有超薄体、高载流子迁移率等优异的电学性能，以半导体性碳纳米管材料为沟道的碳基集成电路技术是构建数字集成电路的有力候选。本文综述了碳基集成电路技术的发展历史，提出了碳基集成电路技术发展路线图，对比了碳基集成电路相对于硅基集成电路的本征优势，并提出了其在尺寸缩减过程中面临的主要技术挑战以及相应的解决方案。
Multifunction-oriented high-mobility polymer semiconductors
Mingliang Zhu, Yunlong Guo and Yunqi Liu
Natl Sci Rev 2024, 11(3): nwad253
https://doi.org/10.1093/nsr/nwad253
多功能化导向的高迁移率聚合物半导体
通讯作者
郭云龙
中国科学院化学研究所
刘云圻
中国科学院化学研究所
与无机和小分子半导体不同，聚合物半导体具有可溶液法加工、大面积制造、本征柔性等固有优势。迄今为止，最高迁移率已经超过了10 cm2 V-1 s-1，而集成机械（可拉伸性）、光学（发光&光图案化）和热学（热电转换）等特性有助于多模式融合和智能制造。本文总结功能化高迁移率聚合物半导体的最新进展，并提出当前挑战和未来方向。
Amorphous oxide semiconductor for monolithic 3D DRAM: an enabler or passer-by?
Shujuan Mao, Guilei Wang and Chao Zhao
Natl Sci Rev 2024, 11(3): nwad290
https://doi.org/10.1093/nsr/nwad290
非晶氧化物三维动态随机存储器：技术颠覆还是昙花一现?
通讯作者
王桂磊
北京超弦存储器研究院
赵超
北京超弦存储器研究院
非晶氧化物，从材料和制造角度来看，兼具超低漏电，高开关比和与硅基逻辑后段工艺完全兼容等优点，是3D DRAM的候选方案之一。本文综述了非晶氧化物在3D DRAM研究中的热点问题及其进展，分析了非晶氧化物3D DRAM制造所面临的挑战，并展望了该技术的前景。
Spin-based magnetic random-access memory for high-performance computing
Kaiming Cai, Tianli Jin and Wen Siang Lew
Natl Sci Rev 2024, 11(3): nwad272
https://doi.org/10.1093/nsr/nwad272
用于高性能计算的基于自旋的磁随机存储器
通讯作者
蔡凯明
华中科技大学、欧洲微电子中心（IMEC）
磁性随机存储器具备高速、低功耗和非易失性等优势，有望成为突破集成电路“后摩尔时代”瓶颈的解决方案之一。本文简单介绍了常见磁存储器，结合各级存储器要求，提出潜在替换方案，提升计算性能。此外，基于磁存储器的新特性，有望开发新型计算架构。这对于突破冯∙诺依曼机瓶颈具备重大意义。
REVIEW
New structure transistors for advanced technology node CMOS ICs
Qingzhu Zhang, Yongkui Zhang, Yanna Luo and Huaxiang Yin
Natl Sci Rev 2024, 11(3): nwae008
https://doi.org/10.1093/nsr/nwae008
用于先进技术节点CMOS集成电路的新结构晶体管
通讯作者
殷华湘
中国科学院微电子研究所
场效应晶体管（FET）创新是推动集成电路发展关键动力。本文对最前沿的纳米环栅晶体管、3D堆叠互补晶体管和垂直沟道晶体管的结构演变及关键技术发展进行综述，明确新结构与碳基、二维等新材料在先进晶体管及其电路应用中的关键科学技术问题，展望了晶体管进一步创新的可能。
INTERVIEW
Pushing the boundaries: an interview with Dae-Hyun Kim on terahertz devices
Defu Wang
Natl Sci Rev 2024, 11(3): nwae013
https://doi.org/10.1093/nsr/nwae013
突破极限：太赫兹器件——专访Dae-Hyun Kim
记者
王德甫
北京大学
韩国庆北大学Dae Hyun Kim教授接受NSR专访，分享了他对促进半导体领域合作的见解，以及推进半导体技术研究和创新的有效方法。
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