闪存的工作原理
转自:头条@二两红油小面
前言
闪存有两种分类,NAND型闪存主要用于存储
写操作
■MOS的特性
给栅极高电平,就导通
给栅极低电平,就截止
在MOS管的基础上加入浮栅层和隧穿层就变成浮栅晶体管(存储一位数据的基本单位)
■浮栅晶体管写操作(逻辑0)
当给栅极施加较高的高电平(较高的高电平才能让电子穿过隧穿层),电子到浮栅层就被绝缘层阻碍了
当给栅极低电平时,这时隧穿层就相当于绝缘层,这样电子就被存储起来了,这时隧穿层有电子表示逻辑0
■浮栅晶体管写操作(逻辑1)
这时给衬底较高的高电平时,电子就会从隧穿层被吸引出来,这时隧穿层没电子表示逻辑1
■小结
根据浮栅层有无电子就可以判断两种状态
读操作
可以通过判断浮栅层当前有无电子,来读取当前的状态
■如何判断有无浮栅层电子?
现在给栅极低电平,电子就会被吸引形成沟道(因为低电平不能让隧穿层导通,所以等价于绝缘层)
因为形成了沟道,D极和S极就有电流了,在这回路中加一个电流表来检测是否有电流
如果浮栅层里有电子的话,由于同性相斥,即使给栅极通电,电子也不会被吸引上来形成沟道
既然没沟道的话,那就没有回路,就检测不到有电流
矩阵控制
NAND Flash闪存的读写单位是页,擦写单位是块
可以看出两个浮栅晶体管共用一个N沟道,连接的是同一块衬底(因为衬底都是同一块,所以以块为单位)
闪存剖视图
闪存3D图
■如何以块为单位来读写?
当要给某一个晶体管写入逻辑0时,给该行较高的高电平(比如20V),给该列低电平(不形成回路,也就不阻碍电子流向浮栅层)
当给某一个晶体管写入逻辑1时,还是给该行较高的电平(比如20V),给该列高电平(形成回路,阻碍电子流向浮栅层)
总结
浮栅晶体管是存储一位数据的基本单元
根据浮栅层有无电子可以区分两种状态
最新评论
推荐文章
作者最新文章
你可能感兴趣的文章
Copyright Disclaimer: The copyright of contents (including texts, images, videos and audios) posted above belong to the User who shared or the third-party website which the User shared from. If you found your copyright have been infringed, please send a DMCA takedown notice to [email protected]. For more detail of the source, please click on the button "Read Original Post" below. For other communications, please send to [email protected].
版权声明:以上内容为用户推荐收藏至CareerEngine平台,其内容(含文字、图片、视频、音频等)及知识版权均属用户或用户转发自的第三方网站,如涉嫌侵权,请通知[email protected]进行信息删除。如需查看信息来源,请点击“查看原文”。如需洽谈其它事宜,请联系[email protected]。
版权声明:以上内容为用户推荐收藏至CareerEngine平台,其内容(含文字、图片、视频、音频等)及知识版权均属用户或用户转发自的第三方网站,如涉嫌侵权,请通知[email protected]进行信息删除。如需查看信息来源,请点击“查看原文”。如需洽谈其它事宜,请联系[email protected]。