中科院专家原创40000字《DRAM芯片风云》专栏
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作者：二马路的冰
排版：RedCandy
出品：SOlab
深度好文，1333字=3分钟阅读
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2022年10月24日，全球代工厂一哥，中国台积电公司的3nm工艺第一个客户终于官宣了。
 英国数据中心芯片与IP公司Alphawave公司宣布，其基于中国台积电公司的N3E 3nm工艺的112Gbps NRZ/PAM4串行化器/解串行化器已经完成版图设计（tape out），并将设计数据交给了中国台积电公司，即将进入量产。
该芯片名称是ZeusCORE100，是Alphawave公司最先进的多标准串行化器/解串行化器，支持超过45dB的超长信道以及800G以太网、OIF 112G-CEI、PCIe GEN6和CXL3.0等数据通信标准，并将应用于下一代服务器。
ZeusCORE100芯片   图源：Alphawave公司
Alphawave公司将在10月26日于加利福尼亚州圣克拉拉（Santa Clara）举行的台积电OIP论坛上，作为铂金赞助商，展示这一新产品及其高性能IP、芯粒和定制硅解决方案的完整组合。
Alphawave总裁兼首席执行官托尼·皮亚利斯（Tony Pialis）表示：“Alphawaves很自豪能够率先利用台积电最先进的3nm技术。我们的合作伙伴关系将继续带来创新的高速连接技术，为最先进的数据中心提供动力，我们很高兴能在台积电OIP论坛活动上展示这些解决方案。”。
Alphawave IP的营销副总裁Clint Walker将在展会上做“基于早期技术模型可用性的高端SerDes IP到FPGA的集成方法”的演示报告，与会者将能够了解112Gbps PAM4 SerDes的成功产品。
FPGA，英文全称为Field Programmable Gate Array，中文全称为现场可编程门阵列，属于逻辑芯片大类，是一种半定制化、可编程的集成电路，是专用集成电路领域的核心芯片之一，号称万能芯片。
FPGA芯片   图源：百度
众所周知，三星电子公司的3nm工艺已经量产，采用的是目前最先进的GAA晶体管结构。
根据三星电子公司发布的消息，采用GAA工艺的3nm芯片，其性能提升超过21%，功耗降低45%。
三星电子公司的3nm工艺采用GAA晶体管   图源：三星电子
中国台积电3nm工艺仍然采用成熟的FinFET晶体管结构。根据中国台积电布的消息，FinFET工艺的3nm芯片，其性能提升超过11%，功耗降低25%左右。
但是，中国台积电表示，其FINFLEX技术让芯片设计人员能够在相同的芯片上，利用相同的设计工具，选择最佳的FIN结构以提升电路关键功能。
中国台积电总裁魏哲家曾表示，台积电的N3制程进度符合预期，将在2022年下半年量产并具备高良率，在2023年稳定量产，并于2023年上半年开始贡献营收。中国台积电将在2nm工艺中采用GAA晶体管结构。
台积电3nm工艺采用FinFET晶体管   图源：三星电子
理论上，基于GAA晶体管结构的3nm工艺性能肯定优于基于FinFET晶体管的3nm工艺。但是，芯片良率是另外一回事。
中国台积电先进芯片产能的首批客户通常是两家，5nm是苹果和华为，4nm是苹果和高通。3nm原来认为是苹果一家。
现在的情况是：Alphawave 公司成为第一个吃螃蟹的中国台积电3nm工艺客户。
参考文献
1．https://www.awaveip.com/en/news-views/alphawave-ip-achieves-its-first-testchip-tapeout-for-tsmc-n3e-process/
芯光社ChipHub
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