上海交通大学微纳工程科学重点实验室二维电子器件博士后招聘
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实验室简介
01
研究方向
前沿的二维材料新基础器件开发,包括场效应晶体管、存储器、神经形态器件等。 采用多种表征技术,如基于原子力显微镜的衍生技术,进行二维材料与器件的多重性质表征,发展相关的表征技术和器件可靠性技术。 申请相关方向专利,发表高水平研究论文。
02
应聘条件
年龄不超过35周岁,具有或即将获得物理、电子、材料等相关专业博士学位,具备扎实的专业基础知识; 身心健康、工作勤奋、为人正直、具有良好的团队精神、善于交流与合作,可以全职从事博士后研究工作; 具有良好的英文读写能力和学术沟通能力,以***作者发表过高水平的期刊/会议论文; 具有二维材料与器件、铁电材料与器件经验者优先。
03
岗位待遇
提供具有市场竞争力的薪酬,博士后综合年薪25-50万元。可享受博士后公寓、五险一金等福利待遇。 入选者在站期间若获得“中国博士后创新人才计划支持”或“上海市超级博士后激励计划”资助,在计划执行期间,薪酬不低于50万元/年。 博士后按照上海市和上海交通大学博士后管理政策办理有关落户事宜,博士后出站若留上海工作,配偶及子女可随迁落户。 博士后取得优秀科研成果、满足上交教研序列要求者,经评估后可推荐留校获教轨教职。
04
联系方式
联系人:陈老师,简历发送至邮箱:[email protected],
邮件标题注明:二维电子器件博士后应聘+本人姓名
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