台积电最新路线图

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在过去的十年中，台积电大约每两年推出一项全新的制造技术。然而，随着开发新制造工艺的复杂性不断增加，保持这种节奏变得越来越困难。该公司此前承认，它将比业界习惯的（即第二季度）晚四个月开始使用其 N3（3 纳米）节点生产芯片，并且在最近与分析师的电话会议中，台积电透露了有关其的更多细节。在最新的工艺技术路线图方面，他们将专注于他其 N3、N3E 和 N2 (2 nm) 技术。

2023年推出N3

与 N5 相比，台积电的 N3 技术将提供全节点扩展，因此其采用者将获得所有性能（10% - 15%）、功耗（-25% - -30%）和面积（逻辑高 1.7 倍）的增强。在这个时代期待一个新节点。但这些优势是有代价的。制造过程将广泛依赖于极紫外 (EUV) 光刻，虽然 EUV 层的确切数量未知，但它的层数将比 N5 中使用的 14 层多。该技术的极端复杂性将进一步增加工艺步骤的数量——使其超过 1000 个——这将进一步增加cycle时间。

因此，虽然首批使用台积电 N3 节点的芯片将于 2022 年下半年开始量产，但该公司只会在 2023 年第一季度将它们运送给未公开的客户以获取收入。然而，许多观察人士预计这些芯片将于 2022 年底发货。

“N3风险生产计划在2021年，生产将在2022年下半年开始，” 台积电首席执行官CC Wei表示。“因此，2022 年下半年将是我们的大规模生产，但您可以预期收入将在 2023 年第一季度出现，因为这需要很长时间——所有这些晶圆都需要周期时间。”

2024年的N3E

传统上，台积电在推出新节点几个季度后，将推出其基于领先节点所提供的性能增强和特定于应用程序的工艺技术。对于N3，该公司将稍微改变他们的策略，并将推出一个名为N3E的节点，它可以被视为N3的增强版本。

该工艺节点将引入具有性能、功率和良率增强的改进的工艺窗口。目前尚不清楚 N3 是否符合台积电对 PPA 和良率的预期，但代工厂正在谈论提高良率的事实表明，除了传统的良率提升方法之外，还有一种方法可以改善它。

“我们还推出了 N3E 作为我们 N3 系列的扩展，”魏说。“N3E 将具有改进的制造工艺窗口，具有更好的性能、功率和产量。N3E 的批量生产计划在 N3 之后一年。”

台积电尚未评论 N3E 是否会与 N3 的设计规则、设计基础设施和 IP 兼容。同时，由于N3E将在N3之后一年（即2024年）为客户服务，芯片设计者将有相当长的时间为新节点做准备。

2025年的N2

迄今为止，台积电的 N2 制造工艺在很大程度上仍是个谜。该公司已确认正在考虑为此节点使用环栅场效应晶体管 (GAAFET)，但从未表示该决定是最终决定。此外，它之前从未披露过 N2 的时间表。

但随着 N2 越来越近，台积电正在慢慢锁定一些额外的细节。特别是，该公司现在正式确认 N2 节点定于 2025 年。尽管他们没有详细说明这是否意味着 2025 年的 HVM，或 2025 年的出货量。

“我可以与大家分享，我们的 2 纳米技术的密度和性能将在 2025 年成为最具竞争力的及竞争者。”魏说。

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