最近真的是好消息太多了，先是燕山大学的李子丰教授宣布自己推翻了爱因斯坦的“相对论”，紧接着，网上又传来振奋人心的事，湖南大学发布最新研究成果，生产1nm以下的芯片可以不用光刻机了。
这可是个天大的好消息啊，要知道，自从中美开始搞贸易战之后，我们最担心的就是这个芯片卡脖子的问题，毕竟我们对芯片的需求量比较大，但是自己又不能生产，所以一说芯片这个事，总是赶脚心里不那么有底。
据说，芯片这个东西设计起来难度不大，最不好搞的是生产。生产之所以不好搞，就是因为我们没有一个叫“光刻机”的玩意，现在可好了，可以不用光刻机了，那不就没问题了吗？
最近火得一比的某微博大V已经吹响了胜利的号角！
美帝还能压制我们吗？滚犊子吧！

然而，对这个事，部分吃瓜群众还是有点怀疑的，毕竟从去年到现在，说自己能整出来芯片的人可真是不少，但好像最后一个一个得都完犊子了，反正事后证明，这些人里，大部分不是骗地皮就是骗经费的。
考虑过董小姐的感受吗？
那么这次这个消息到底是不是真的呢？
这么厉害的成果，竟然不是北大、清华、科大这些大学搞出来的，湖南大学水平有那么高吗？

真的还别小看湖南大学，去年的时候，美帝对我国部分高校进行过一波制裁，在第一批的13个大学里就没有北大和清华，但是有湖南大学。

这是为毛呢？因为湖南大学里有个非常牛皮的超级计算机中心，据说可以干很多事，所以才被美帝放进实体名单了。
看来湖南大学的科研水平还是可以的，那么，他们真能搞出不用光刻机就做芯片的技术吗？

首先要说明一下，湖南大学的这个研究成果还真的不像以前那些关于芯片的消息一样是纯扯犊子的，这个消息来自于他们是早些时候在《自然》杂志上发表的一篇文章。

《自然》杂志也算是国际上比较权威的科学期刊了，这上面的文章还是可信的。

这个杂志也有中文版的：

这篇文章里说，湖南大学的研究人员用二硫化钼材料，解决了垂直晶体管薄层金属化毁损的问题，证明了可以用二硫化钼/石墨烯预制异质结构涂层制造1纳米的垂直晶体管芯片。
啥意思呢？简答说吧，这是一个关于材料方面的研究成果，这个成果说明了，是可以不用光刻机制作1纳米芯片的，这个工艺在理论上是可行的。
但是，这还只是一个实验室里的结论，想达到工业化生产，还差挺远呢。
更重要的是，湖南大学这个成果其实是利用0. 65nm的涂层做成MoS2场效应晶体管，这并不是芯片本身。
而行业上真正需要的，必须要做成大规模芯片，那么，在平面维度上仍然需要高精度光刻机。
而目前我国的光刻机最大精度是90nm，上海做成过28nm样机，但还没有量产，而国际上顶尖的荷兰ASML光刻机已经达到了5nm。
其实，芯片和光刻机这些玩意，老百姓本来是不关心的，但架不住各种媒体天天煽乎啊，但每次都是白高兴一场，港真，我们现在真的有点累了，等到真整出来了，你们再吹也不晚啊！
还是那句话，得踏踏实实滴干才行，靠打鸡血、吹牛B，真的是整不出来芯片滴。
（全文完）
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