存储芯片双雄，大战打响

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来源：内容来自半导体行业观察（ID：icbank）综合，谢谢。

三星电子和SK海力士正在激烈竞争，以引领人工智能（AI）时代的下一代半导体市场。两家公司都在努力通过新产品开发和大规模生产时机来获得优势。随着英特尔加入竞争，全球半导体战线正在扩大。

4月21日消息，据业内人士透露，三星电子和SK海力士近日宣布了下一代半导体量产计划。焦点在于谁能最先将这些新产品推向市场，吸引相当多的关注。

1月份，SK海力士开始量产8层第五代高带宽存储器（HBM）3E，并取得早期领先。三星电子计划在今年上半年开始量产自己的8层HBM3E。

三星电子率先开发 12 层 HBM3E，并于 2 月份开发成功。它的目标是在今年晚些时候开始大规模生产，并向美国半导体公司英伟达供货。与此同时，据报道SK海力士上半年向Nvidia交付了12层HBM3E原型。

两家公司还竞相开发第六代 HBM4。三星电子制定了明年开发 HBM4 并于 2026 年开始量产的路线图。HBM4 产品计划提供三种选择：8 层、12 层和 16 层配置。

SK海力士还计划在2026年实现HBM4量产。为了实现这一目标，该公司与世界领先的代工（半导体合同制造）公司台湾台积电合作。SK海力士计划采用台积电先进逻辑工艺技术生产HBM4。

为了对抗SK海力士-台积电联盟，三星电子作为唯一一家拥有完整生产、代工和封装工艺的半导体公司，强调其为客户提供定制化HBM解决方案的能力。

在 DRAM 领域，竞争仍在继续。三星电子最近发布了用于设备上人工智能的低功耗双倍数据速率 5X (LPDDR5X) DRAM，其速度达到创纪录的 10.7 Gbps（千兆位每秒），超过了 SK 海力士用于移动设备的 LPDDR5T，后者去年达到了 9.6 Gbps。

此外，三星电子计划于今年年底开始量产第六代 10 纳米 (nm) DRAM，并于 2026 年开始量产第七代 10 纳米 DRAM。SK 海力士计划于第三年推出第六代 10 纳米 DRAM。.季度，领先于三星电子的年终生产目标。

市场研究公司TrendForce的数据显示，去年第四季度，三星电子占据DRAM市场45.5%的份额，而SK海力士则占据31.8%。在HBM市场，SK海力士拥有53%的市场份额，三星电子拥有35%的市场份额。下一代半导体的发展可能会显着改变市场格局，使两家公司保持高度警惕。

与此同时，美国半导体公司英特尔正在加快步伐，通过引进荷兰半导体设备公司ASML的先进设备，追赶台积电和三星电子。英特尔最近在其位于美国俄勒冈州的研发中心安装了 ASML 的下一代高数值孔径极紫外光刻 (EUV) 设备，高数值孔径 EUV 可以绘制更详细的半导体电路图，英特尔是第一家采用这种技术的代工厂。采用该技术。

英特尔计划在今年年底前开始量产 1.8 纳米工艺。如果一切按计划进行，英特尔将击败台积电和三星电子，后者计划明年开始大规模生产 2 纳米工艺。

HBM，竞争激烈

随着AI半导体领域的持续竞争，晶圆代工（代工芯片制造）行业因需求停滞和产能过剩而面临新的挑战。与此同时，人工智能关键组成部分高带宽内存（HBM）领域的主导地位争夺正在加剧，半导体公司之间的竞争不断升级。

三星电子已将泰勒工厂的运营从2024年底推迟到2026年。这一推迟被视为考虑到代工市场状况调整投资速度的战略举措。

业界一直暗示今年代工行业的增长可能达不到预期。台积电在 4 月 18 日的第一季度财报电话会议上，将今年代工增长的预测从“约 20%”下调至“十几岁左右”。

对于制造工艺至关重要的极紫外（EUV）光刻市场也正在经历类似的趋势。荷兰公司ASML的新订单额从2022年第四季度的56亿欧元骤降至2023年第一季度的6.5亿欧元，暴跌88.4%。

在此背景下，随着新的制造厂将于明年开业，人们担心产能过剩。台积电正在美国亚利桑那州建设两座代工工厂，第一座工厂预计于 2025 年初投入运营，第二座工厂预计于 2028 年投入运营。第一座工厂位于日本熊本，已于 2 月开业，第二座工厂预计于 2028 年开业。预计于 2027 年之前开始运营。英特尔着眼于代工业务的复苏，计划在美国、欧洲和以色列建造新的代工设施。

在对AI半导体至关重要的HBM市场，“SK海力士-台积电”联盟与三星电子的竞争正在加剧。

SK海力士近日宣布与台积电合作开发下一代HBM，利用台积电的代工技术来提高其第6代HBM产品的能效和性能。两家公司都是 Nvidia 的客户，创建了一个强大的人工智能半导体联盟，涉及 GPU（Nvidia）、代工厂（台积电）和 HBM（SK 海力士）。

另一方面，三星电子必须与他们竞争。虽然SK海力士只生产内存，因此不是台积电的直接竞争对手，但三星电子作为制造内存、代工厂和系统LSI的集成设备制造商（IDM），在业务运营上与台积电有重叠。

三星电子计划凭借超过 12 层的产品重新夺回市场主导地位。今年2月成功开发出业界最高产能的12层HBM3E，预计第二季度将与8层产品一起供应给Nvidia。对于 HBM4，三星的目标是引入 16 层技术。

尽管代工需求低迷，但三星电子和SK海力士的盈利前景预计将较上年大幅改善。金融投资行业预测，SK海力士Q1营收将达到121021亿韩元，营业利润17654亿韩元。预计今年营业利润将超过 21 万亿韩元。对于三星电子的DS部门，预计第一季度的营业利润在7000亿至1.8万亿韩元之间，由于DS部门业绩的改善，全年营业利润预计将在35万亿韩元左右。

SK海力士和三星，股价暴跌

韩国两大半导体巨头三星电子和SK海力士双双收低。此次下跌是受到半导体股价同时大幅下跌的影响，英伟达在美国市场的股价下跌了10%。

4 月 22 日，三星电子在 KOSPI 市场收盘价为 76,100 韩元（55.14 美元），较前一交易日下跌 1,500 韩元，跌幅为 1.93%。尽管韩国综合股价指数显示机构买盘强劲，涨幅超过 1%，但三星电子却出现低迷，表明其股价下跌。此前大量购买三星电子股票的外国投资者转为净卖家，导致股价下跌。

另一家半导体龙头代表SK海力士也收低至171,600韩元，较前一交易日下跌1,700韩元，跌幅0.98%。SK海力士在交易期间跌至3%的区间，但在收盘前成功收窄跌幅。与三星电子一样，外国投资者通过大量抛售股票，在压低股价方面发挥了主导作用。

两只股票的疲软归因于周末美国市场半导体股的大幅下跌。4月19日（当地时间）纽约证券交易所，英伟达收盘价为762美元，较前一交易日下跌10%。英伟达在交易中跌幅稳步加大，导致其市值在收盘时暴跌至 2 万亿美元。

受此影响，被誉为“第二英伟达”的AMD收盘下跌5.44%；美国最大半导体公司英特尔上涨2.40%；美国最大的 DRAM 制造商美光科技 (Micron Technology) 上涨了 4.61%。同日，追踪半导体公司的费城半导体指数也整体收跌4.12%。

美国半导体股票的疲软反映了市场对半导体需求的担忧。上周，荷兰半导体设备公司ASML宣布第一季度订单弱于预期，而台湾台积电则下调了今年不包括内存在内的半导体行业的增长预期。这些事态发展加剧了投资者的担忧。

除了这些担忧之外，人工智能服务器公司 Supermicro 还引发了进一步的担忧。4月19日，超微宣布了第一季度财报的发布日期，但这一次它没有透露临时业绩。因此，投资者将此解读为人工智能半导体需求下降的迹象，并大量抛售半导体股票。

证券行业也有分析认为，半导体股的大幅下跌带来了投资组合扩张的机会。近期美国降息预期受挫以及中东风险的出现，加上对盈利的担忧，导致各大公司股价过度下跌。还提到，随着内存半导体价格持续回升，商业状况改善的预期依然存在。

未来资产证券研究员 Kim Young-gun 表示：“利用这个调整期考虑重新进入 Nvidia 或扩大在行业领域的权重也可能很有意义。从本月数据来看，值得注意的是NAND需求的复苏情况。”

分析师还表示，主要科技公司定于本周发布的财报将决定股价的走向。在美国，Verizon 定于 4 月 22 日公布财报，特斯拉定于 4 月 23 日公布，Meta 和 IBM 定于 4 月 24 日公布，Alphabet (谷歌)、微软和英特尔定于 4 月 25 日公布财报。在韩国，SK 海力士定于公布第一季度财报，并于 4 月 25 日召开电话会议。

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